真空鍍膜機是真空應用領域的一個重要方面，它是以真空技能為基礎，使用物理或化學辦法，吸收離子合作磁控以及射頻等一系列技能手段，為科學研究和實踐出產供給薄膜制備的一種新工藝。簡略地說，在真空中把金屬、合金或化合物進行蒸騰或濺射，使其在被涂覆的物體上凝結并堆積的辦法，稱為真空鍍膜。它已廣泛地應用于光學、電子學、能源開發(fā)，理化儀器、建筑機械、包裝、民用制品、外表科學以及科學研究等領域中。

真空鍍膜機的工作原理

真空鍍膜機分為兩大類，即物理氣相堆積（PVD）技能和化學氣相堆積（CVD）技能。簡易區(qū)分便是薄膜是否通過化學反應生成，是的話CVD，反之PVD。如下簡介完成的辦法：

真空鍍膜機的工作流程簡略來說便是電子在電場的效果下加快飛向基片的進程中與氬原子發(fā)生磕碰,電離出很多的氬離子和電子,電子飛向基片.氬離子在電場的效果下加快轟擊靶材,濺射出很多的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)堆積在基片上成膜.

但在實踐輝光放電直流濺射體系中,自持放電很難在低于1.3Pa的條件下保持,這是因為在這種條件下沒有足夠的離化磕碰.因此在低于1.3~2.7Pa壓強下運行的濺射體系進步離化磕碰就顯得尤為重要.進步離化磕碰的辦法要么靠額外的電子源來供給,而不是靠陰極發(fā)射出來的二次電子;要么便是使用高頻放電設備或許施加磁場的方法進步已有電子的離化效率.

事實上,真空鍍膜機中二次電子在加快飛向基片的進程中遭到磁場洛侖磁力的影響,被捆綁在靠近靶面的等離子體區(qū)域內,該區(qū)域內等離子體密度很高,二次電子在磁場的效果下圍繞靶面作圓周運動,該電子的運動途徑很長,在運動進程中不斷的與氬原子發(fā)生磕碰電離出很多的氬離子轟擊靶材,通過屢次磕碰后電子的能量逐漸降低,脫節(jié)磁力線的捆綁,遠離靶材,Z終堆積在基片上.

真空鍍膜機便是以磁場捆綁而延伸電子的運動途徑,改動電子的運動方向,進步作業(yè)氣體的電離率和有用使用電子的能量.電子的歸宿不僅僅是基片,真空室內壁及靶源陽極也是電子歸宿,因為一般基片與真空室及陽極在同一電勢.磁場與電場的交互效果(EXB drift)使單個電子軌道呈三維螺旋狀,而不是僅僅在靶面圓周運動.

蒸騰鍍的物理進程包含：堆積材料蒸騰或升華為氣態(tài)粒子→氣態(tài)粒子快速從蒸騰源向基片外表輸送→氣態(tài)粒子附著在基片外表形核、長大成固體薄膜→薄膜原子重構或發(fā)生化學鍵合。

真空度：P≤10-3 Pa基片間隔(相對于蒸騰源)：10~50 cm